Центры аннигиляции позитронов в облученных электронами полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Методом $2\gamma$-аннигиляции позитронов исследовано накопление радиационных дефектов (РД) в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при облучении электронами (${\sim2}$ МэВ) интегральными потоками до ${\sim1\cdot10^{19}\,\text{см}^{-2}}$. Экспериментальные данные анализировались с помощью модели захвата позитронов. Показано, что при облучении электронами полупроводников A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (GaAs, GaP, InP, InAs) накапливаются дефекты вакансионного типа, вероятнее всего, элементарные вакансии. Определены скорости введения РД в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при электронном облучении.