Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней

Показано, что при сопротивлении базы диода ${r\gtrsim(\omega C_{\text{д}})^{-1}}$ ($\omega$ — круговая частота измерительного сигнала, $C_{\text{д}}$ — емкость $p{-}n$-перехода), сигнал DLTS $\Delta C(T)$ уменьшается и может изменить знак. Рассмотрены условия наблюдения указанного эффекта. Приведены расчетные и экспериментальные зависимости с ${\Delta C(T)< 0}$ во всей или части области изменения $T$.