Влияние коррелированного неоднородного распределения поверхностных рекомбинационных центров и зарядов в окисле на генерацию неосновных носителей тока при емкостной спектроскопии в МДП структурах

Модель МДП структуры для численного расчета спектров DLTS с учетом влияния неосновных носителей тока на перезарядку поверхностных состояний расширена путем включения в нее генерационных механизмов в объеме полупроводника и неоднородностей в распределении как рекомбинационных центров, так и зарядов в окисле. Результаты расчетов для МДП структуры на основе $n$-Si показывают, что приближение спектров модели к экспериментально наблюдаемым спектрам достигается в случае, если предположить совместное присутствие положительного заряда в окисле и быстрых рекомбинационных центров при неоднородном по площади распределении.
На экспериментальном примере объясняются специфические генерационные свойства МДП структуры после нагрузки ее высоким напряжением, при котором происходит образование таких коррелированных поверхностных центров и зарядов в окисле.