RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 1,
страницы
189–191
(Mi phts1587)
Краткие сообщения
Исследование низкоуровневых нарушений в имплантированных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения
В. К. Васильев
,
О. Н. Горшков
,
Ю. А. Данилов
,
В. С. Туловчиков
Горьковский исследовательский физико-технический институт
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
14.10.1982
Принята в печать:
20.07.1983
Полный текст:
PDF файл (492 kB)
©
МИАН
, 2025