RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 266–269 (Mi phts1603)

Увлечение носителей тока фотонами в условиях многофотонного поглощения субмиллиметрового излучения в дырочном германии

С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Исследовано явление увлечения носителей тока фотонами в $p$-Ge при воздействии мощного субмиллиметрового излучения в условиях, когда реализуется процесс многофотонного поглощения, представляющего собой совокупность одновременно идущих и сравнимых по вероятности $n$-квантовых процессов (${n\simeq10}$). Обнаружены инверсии знака тока увлечения в зависимости от интенсивности света.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 09.08.1983
Принята в печать: 29.08.1983



© МИАН, 2025