RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 275–278 (Mi phts1605)

Кинетика люминесценции в фосфиде галлия $n$-типа, легированном азотом

А. Р. Вострова, Е. С. Добрынина, В. И. Петров

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: В растровом электронном микроскопе исследована кинетика локальной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев фосфида галлия, легированных азотом и теллуром, при различных уровнях возбуждения и различных температурах и выявлен сложный характер протекания кинетических процессов. Обнаружены одинаковый характер кинетики катодолюминесценции газофазных и жидкофазного образцов при 300 K и существенное различие в кинетике и ее зависимости от уровня возбуждения при 170 K. Предложены механизмы, объясняющие сложный характер кинетики катодолюминесценции исследуемых образцов, основанные на теории многозарядных центров и центров прилипания, сделаны предположения о природе этих центров.
Показано, что характер кинетики катодолюминесценции в исследованных образцах определяется только центрами безызлучательной рекомбинации и центрами прилипания, не связанными с оптически активным азотом.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.04.1983
Принята в печать: 06.09.1983



© МИАН, 2025