RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 289–294 (Mi phts1608)

Электродвижущая сила, обусловленная динамическим деформированием гетероперехода Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs

З. Н. Барташевич, Ю. К. Пожела, В. С. Филипавичюс

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: Измерена электродвижущая сила (ЭДС), появляющаяся в гидродинамически деформируемом гетеропереходе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs. Зависимость ЭДС от состава $x$ имеет максимум при ${x\approx0.4}$ в случае, когда слой Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As выращен на проводящей подложке. Величина ЭДС равна $30{-}50$ мкВ и $1{-}4$ мВ соответственно для слоев на проводящей и полуизолирующей подложках при давлении ${5\cdot10^{7}}$ Па. Возникновение деформационной ЭДС для слоев с проводящей подложкой объясняется долговременной перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе гетероперехода, а в случае полуизолирующей подложки — долговременной перезарядкой объемного заряда свободных электронов на гетеропереходе под действием гидродинамического давления.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.09.1983
Принята в печать: 07.09.1983



© МИАН, 2025