RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 421–425 (Mi phts1644)

О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии

Е. М. Гершензон, И. Т. Семенов, М. С. Фогельсон

Московский государственный педагогический институт им. В. И. Ленина

Аннотация: Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ${N_{D}=2.5\cdot10^{17}{-}9\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ и температур ${T=1.7{-}45}$ K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 08.08.1983
Принята в печать: 30.09.1983



© МИАН, 2024