Оже-рекомбинация дырок через глубокие доноры в InSb $n$-типа

Рассчитана скорость процесса оже-рекомбинации дырок через глубокие доноры в InSb $n$-типа. Учтена сложная структура примесного центра. Полагалось, что донор обладает симметрией $\Gamma_{6}$ дна зоны проводимости. В рамках трехзонной модели Кейна проведено строгое рассмотрение интегралов перекрытия блоховских амплитуд зон.
Получены выражения для времени жизни дырок относительно оже-рекомбинации через глубокий донор в различных предельных случаях. Установлено значительное изменение температурной и концентрационной зависимостей времени жизни при переходе к случаю существенной экранировки свободными электронами и при вырождении свободных носителей.