RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 460–464 (Mi phts1652)

Вклад различных центров захвата в поляризацию алмазных детекторов ионизирующих излучений

Ю. С. Мухачев, В. С. Татаринов, С. Ю. Борзенко, А. Л. Липовченко, В. С. Хрунов, С. С. Мартынов, В. М. Кукушкин

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете им. А. А. Жданова

Аннотация: Исследованы токи термостимулированной деполяризации (ТСД) и температурная зависимость скорости счета алмазных детекторов. Показано, что накопление инжектированного положительного объемного заряда происходит на глубоких уровнях, проявляющихся в ТСД в виде пиков с температурами максимумов в интервале ${500\div600}$ K. Избыточный отрицательный заряд, вызывающий паразитную поляризацию детекторов, связан с захватом электронов на ловушки, проявляющиеся в ТСД в виде пиков с температурами максимумов при 420 и ${460\div480}$ K. Сопоставление температурной зависимости скорости счета с кривой ТСД показывает, что высокотемпературный спад скорости счета коррелирует с температурам максимумов высокотемпературных пиков ТСД. Сделано предположение о связи изменения счетных характеристик с разрушением положительного объемного заряда.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.05.1983
Принята в печать: 15.10.1983



© МИАН, 2024