Исследование коэффициента поглощения в $n$-PbTe, легированном бором

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения $\alpha (h\omega)$ в $n$-РЬТе<В> при 300 К. На фоне края основного поглощения обнаружены полосы примесного поглощения, связываемые с электронными переходами между зоной проводимости и узкой примесной полосой, расположенной выше ее дна. Определена энергия примесной полосы $E_0=0.42\div 0.45$ эВ. В длинноволновой области спектров $\alpha (h\omega)$ выявлены полосы дополнительного поглощения, обладающие резкой красной границей, появление которых обусловлено оптической активацией уровня собственных дефектов, расположенного в запрещенной зоне. Определена энергия уровня $E_i =-0.055\pm 0.005$ эВ. Путем сопоставления результатов для РbТе, легированного Ga, Аl, В и собственными дефектами, обусловленными отклонением от стехиометрии, высказаны предположения о его природе.