RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 3, страницы 513–518 (Mi phts1663)

Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления $n$-InSb с учетом межзонных переходов

Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, Д. А. Фирсов

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина

Аннотация: Методом интерференционной модуляции излучения СO$_{2}$-лазера исследовано изменение показателя преломления на свободных электронах в электрическом поле $\Delta n(E)$ в $n$-InSb с концентрацией электронов ${7.4\cdot10^{14}{-}1.2\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ при ${T=100}$ K. Проведен расчет $\Delta n(E)$ с учетом межзонных виртуальных переходов на основе соотношений Крамерса–Кронига, показан существенный вклад межзонных переходов в показатель преломления на горячих электронах при ${\hbar\omega\sim\varepsilon_{g}}$. Путем сравнения эксперимента с расчетом найдена зависимость электронной температуры $T_{e}$ от электрического поля для различных концентраций электронов.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 17.10.1983
Принята в печать: 26.10.1983



© МИАН, 2024