RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 4,
страницы
726–729
(Mi phts169)
Краткие сообщения
Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках
Э. З. Имамов
,
Ю. Т. Ребане
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
21.08.1985
Принята в печать:
06.09.1985
Полный текст:
PDF файл (457 kB)
©
МИАН
, 2024