RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 726–729 (Mi phts169)

Краткие сообщения

Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках

Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 21.08.1985
Принята в печать: 06.09.1985



© МИАН, 2024