Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 4,страницы 730–732(Mi phts170)
Краткие сообщения
Фоточувствительность структуры с длинной базой и приповерхностным
потенциальным переходом на основе монокристаллов CdS в собственной области
поглощения