RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 4,
страницы
742–744
(Mi phts175)
Краткие сообщения
Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры облучения
П. Ф. Лугаков
,
В. В. Лукьяница
Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
26.07.1985
Принята в печать:
16.10.1985
Полный текст:
PDF файл (471 kB)
©
МИАН
, 2025