Рассеяние носителей заряда в ионных полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны

Рассмотрено рассеяние дырок на поляризационных оптических и пьезоакустических колебаниях в ионных полупроводниках с вырожденной валентной зоной $\Gamma_{8}$. Вычислены вероятности внутри- и межзонных переходов. Найдены выражения для подвижности тяжелых и легких дырок и средней подвижности. Полученные результаты сопоставляются с известными значениями для невырожденных зон и с экспериментом.