Комплексный эффект поля на поверхности твердых растворов группы GaP$_{x}$As$_{1-x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)

Методом комплексного эффекта поля в электролитах для группы твердых растворов $n$-GaP$_{x$As$_{1-x}$} (${0\leqslant x\leqslant1}$) изучались электрофизические, фотоэлектрические и спектральные характеристики границы раздела полупроводник–собственный оксид. Установлено, что на начальной стадии роста собственного оксида (${d_{\text{ox}}< 200}$ Å) на границе раздела возникает специфический двойной электрический слой, величина которого зависит от стехиометрического состава твердого раствора $x$ : ${Q^{0}_{sc}(n\text{-GaAs})>Q^{0}_{sc}(n\text{-GaP$_{x}$As$_{1-x}$})>Q^{0}_{sc}(n\text{-GaP})> 0}$. Знак и величина этого двойного слоя обусловлены структурно-физико-химической природой тонкого переходного слоя границы раздела твердый раствор–оксид. В то же время спектральные характеристики такой системы позволяют исследовать энергетические параметры межзонных оптических переходов, характерных для объема этих соединений.