RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1422–1425 (Mi phts1886)

Пикосекундная фотопроводимость арсенида индия

Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Кроткус


Аннотация: Описана методика измерения кинетики фотопроводимости, возбуждаемой импульсами пикосекундного лазера. Представлены результаты измерения времен жизни неравновесной плазмы в нелегированном и легированном глубокой примесью хрома арсениде индия. Обсуждена перспективность InAs$\langle$Cr$\rangle$ как материала для быстродействующих оптоэлектронных ключей.



© МИАН, 2024