RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 9, страницы 1704–1706 (Mi phts1962)

Краткие сообщения

Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$

К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, М. М. Шукюров, Э. Ю. Салаев




© МИАН, 2025