RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 1, страницы 129–133 (Mi phts2115)

Исследование ударной ионизации в собственном InSb по модуляции света

Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. А. Шалыгин, А. В. Штурбин


Аннотация: Экспериментально исследована ударная ионизация в собственном антимониде индия при комнатной температуре. Сопоставляются результаты измерений эффекта Холла, вольт-амперных характеристик и модуляции света неравновесными носителями заряда. Определена скорость ударной ионизации $g(E)$. Для области полей ${E=30\div300}$ В/см получена эмпирическая аппроксимационная зависимость ${g(E)=126\,E^{2}\exp(E/160)\,\text{с}^{-1}}$.



© МИАН, 2025