Физика и техника полупроводников,
1983, том 17, выпуск 1,страницы 129–133(Mi phts2115)
Исследование ударной ионизации в собственном InSb по модуляции света
Л. Е. Воробьев, В. И. Стафеев, В. А. Шалыгин, А. В. Штурбин
Аннотация:
Экспериментально исследована ударная ионизация
в собственном антимониде индия при комнатной температуре. Сопоставляются
результаты измерений эффекта Холла, вольт-амперных характеристик и модуляции
света неравновесными носителями заряда. Определена скорость ударной ионизации
$g(E)$. Для области полей ${E=30\div300}$ В/см получена эмпирическая
аппроксимационная зависимость ${g(E)=126\,E^{2}\exp(E/160)\,\text{с}^{-1}}$.