Эффект Шубникова–де-Гааза у сплава Hg$_{0.96}$Cd$_{0.04}$Te $n$-типа под давлением

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства полуметаллического сплава Hg$_{0.96}$Cd$_{0.04}$Te с инверсной зонной структурой (${\varepsilon_{g}<0}$) при гелиевых температурах. Обнаруженное в работе качественное отличие в поведении полуметаллического сплава $n$-типа (по сравнению со сплавами $p$-типа) объясняется тем, что примесная акцепторная зона у исследованного сплава находится под уровнем Ферми $\varepsilon_{F}$ во всем интервале давлений и не оказывает, таким образом, стабилизирующего действия на $\varepsilon_{F}$.
В работе определен барический коэффициент щели ${\partial\varepsilon_{g}/\partial p=8.8\pm0.3}$ мэВ/кбар при гелиевых температурах. Последний результат использован для расчета щелевых зависимостей циклотронной массы $m_{c}(\varepsilon_{F})$, фактора спинового расщепления $\nu(\varepsilon_{F})$ и $g$-фактора. В рамках простой кейновской модели определен матричный элемент ${P=(7.7\pm0.2)\cdot10^{-8}\,\text{эВ}\cdot\text{см}}$. Полученные в работе данные указывают на необходимость учета влияния удаленных зон на закон дисперсии электронов в $\Gamma$.