Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, “Зависимость ширины запрещенной зоны Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ от состава”, Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 7,страницы 1202

Зависимость ширины запрещенной зоны Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ от состава

Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан

Аннотация: Обнаружена и исследована фотопроводимость сплавов арсенид кадмия–арсенид цинка, изучены явления переноса в $p$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$, определена зависимость ширины запрещенной зоны Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ вблизи температуры жидкого гелия и при 300 K от состава.