RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 7, страницы 1225–1229 (Mi phts2389)

Электрофизические и фотолюминесцентные свойства монокристаллов фосфида галлия, подвергнутых термической обработке

А. А. Лобанов


Аннотация: Изучено влияние термической обработки монокристаллов фосфида галлия при различных температурах и давлениях паров фосфора на их электрофизические и люминесцентные свойства.
Показано, что изменение свойств GaP связано с отклонением от стехиометрии в кристаллах при термообработке, приводящим к преимущественному возникновению галлиевых или фосфорных термодефектов, имеющих акцепторную природу.



© МИАН, 2024