Анизотропия фотопроводимости слоистых кристаллов GaSe и InSe, измеренная бесконтактным СВЧ методом

Бесконтактным СВЧ методом резонаторного типа исследована анизотропия фотопроводимости слоистых полупроводниковых кристаллов GaSe и InSe. Изучены угловые, температурные и спектральные зависимости, а также зависимость от интенсивности света и кинетика фотоответа. В области низких температур (${T< 80}$ K для InSe и ${T< 30}$ K для GaSe) обнаружено явление отрицательной фотопроводимости в направлении, перпендикулярном оси $C$, при положительной фотопроводимости — вдоль оси $C$. Наблюдаемый впервые эффект ориентационного изменения знака фотопроводимости объясняется перезарядкой светом центров рассеяния, вызывающих изменение подвижности носителей тока.