Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. И. Елантьев, М. Л. Кагане, В. В. Мултановский, Н. Г. Птицина, “Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 8,страницы 1430

Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках

Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. И. Елантьев, М. Л. Кагане, В. В. Мултановский, Н. Г. Птицина

Аннотация: Обсуждается метод определения раздельной концентрации и химической природы мелких примесей в чистых полупроводниках, основанный на измерении времени релаксации и спектра субмиллиметровой фотопроводимости полупроводника. Описываются устройство и характеристики спектрометров с лампами обратной волны (ЛОВ), разработанных для анализа примесей, и приводятся результаты измерений в Ge, GaAs и InSb.