Теория возбуждения рэлеевских волн при поглощении оптических импульсов в полупроводниках

Развита теоретическая модель генерации рэлеевских волн в полупроводниках, учитывающая деформацию решетки при фотовозбуждении электронно-дырочной плазмы. Установлена связь спектра ПАВ с такими параметрами, определяющими динамику неравновесных носителей, как коэффициент диффузии, время объемной рекомбинации, скорость поверхностной рекомбинации. Рассмотрены предельные случаи объемного и поверхностного поглощения оптического излучения.