RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1775–1781 (Mi phts2533)

О возможности автолокализации экситона Френкеля в алмазоподобных полупроводниках

В. Г. Бутько, К. Б. Толпыго


Аннотация: Рассматривается волновой пакет из состояний экситона Френкеля. Его взаимодействие с решеткой описывается посредством силы расталкивающей ближайшие атомы возбужденной связи. Условие максимума энергии экситона и деформированного кристалла по отношению к размерам области локализации определяет высоту барьера, а также оптимальную форму волнового пакета, приобретая которую, последний будет далее сжиматься вплоть до состояния полной локализации. Оценка высоты барьера и вероятности автолокализации приводит к правильному порядку величины для вероятности дефектообразования при собственном поглощении света.



© МИАН, 2025