В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев, “Статические характеристики МДП транзисторов на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1,страницы 62

Статические характеристики МДП транзисторов на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

В. П. Пономаренко, И. В. Шиманский, В. И. Стафеев

Аннотация: Описаны основные свойства МДП транзисторов с индуцированным каналом на основе твердых растворов $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (с ${x\simeq0.3}$), работающих в режиме обогащения.