RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 540–543 (Mi phts2787)

Краткие сообщения

Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge

Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина, Г. М. Чулкова




© МИАН, 2025