Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами

Методами ИК поглощения, ЭПР, электрофизическими измерениями изучены образование собственных ($V_{2},V^{-}_{5}$) и кислородосодержащих дефектов ($V$O, $V\text{O}_{2}$, $V_{3}$O, $V_{3}\text{O}_{3}$ и др.), изменения состояний примесей О$_{I}$ и C$_{S}$ в кремнии при облучении реакторными нейтронами в диапазоне температур ${60\div750^{\circ}}$С и последующих отжигах.
Определено, что электрически активные дефекты вводятся до температур облучения $750^{\circ}$С. При этом наблюдаются изменения в концентрации примесей кислорода (O$_{I}$) и углерода (C$_{S}$). Восстановление электрических характеристик бескислородного кремния при высокотемпературном отжиге (${\sim800^{\circ}}$С) коррелирует с восстановлением концентрации С$_{S}$. Наличие кислорода (до ${\sim 10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) вызывает образование высокотемпературных форм комплексов С$-$О, стабильных до ${900\div1000^{\circ}}$C.
Установлено, что концентрации большинства наблюдаемых при высокотемпературном облучении дефектов близки к концентрациям соответствующих центров, фиксируемых в процессе отжига материала, облученного при 60$^{\circ}$С. Из полученных результатов можно заключить, что перестройки дефектов в объеме материала и в разупорядоченных областях (РО) при повышенных $T_{\text{обл}}$ и отжигах протекают одинаково. Причем в случае высокотемпературного облучения существенные потоки дефектов из РО или к РО либо отсутствуют, либо не отличаются от потоков при эквивалентных отжигах.