RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1057–1061 (Mi phts2902)

Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами

А. В. Двуреченский, А. А. Каранович


Аннотация: Методом ЭПР обнаружен и исследован новый парамагнитный центр, названный нами Н12, в кремнии, облученном большими дозами нейтронов. Наблюдаемая концентрация центров Н12 составляет ${\sim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ при дозе облучения ${\sim10^{19}\,\text{см}^{-2}}$ и не зависит от типа легирующей примеси и способа выращивания кристалла. Угловая зависимость спектра описывается спиновым гамильтонианом с электронным спином ${s=1/2}$ и $\hat g$-тензором, характеризующимся симметрией $C_{1}$ (либо $C_{i}$). Сверхтонкая структура (СТС) спектра Н12 содержит три группы линий и соответствует одному, двум и двум-трем узлам в нулевой, первой и второй оболочках дефекта соответственно. Высокотемпературное (${T=100\div200^{\circ}}$С) одноосное сжатие приводит к частичной переориентации дефекта, которая характеризуется энергией активации ${E_{a}\simeq1}$ эВ и частотным фактором ${\nu_{0}\sim10^{13}\,\text{с}^{-1}}$. На основании структуры ближайшего окружения дефекта, его симметрии, а также близости параметров СТС и $\hat g$-тензоров спектров Н12 и {\it P6



© МИАН, 2025