RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1196–1198 (Mi phts2939)

Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе

Л. А. Галченков, И. М. Гродненский, М. В. Костовецкий, О. Р. Матов, Б. А. Медведев, В. Г. Мокеров


Аннотация: Обнаружен резонансный максимум в полевых зависимостях угла вращения плоскости поляризации и эллиптичности излучения, прошедшего через ограниченный двумерный ($2D$) электронный слой. Эффект возникает из-за возбуждения краевых магнитоплазмонов (КМП) и наблюдается тогда, когда частота излучения находится вблизи частоты основной моды КМП.



© МИАН, 2025