Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия

Анализируются особенности спектров фотолюминесценции (ФЛ) и фотопроводимости (ФП), снятых при 4.2$-$60 K, кристаллов GaSe стехиометрического состава, выращенных с избытком и недостатком атомов Ga. Изучено влияние импульсного излучения многомодового рубинового лазера на спектры ФЛ и ФП таких кристаллов. Показано, что наличие в матрице кристаллов GaSe избыточных атомов Se приводит к образованию центров, на которых связываются триплетные экситоны. Избыточные атомы Ga, образующиеся в кристалле как в процессе его роста, так и под действием лазерного облучения, создают области с другим политипным составом ($\gamma$-модификацию). В спектрах ФЛ и ФП таких кристаллов проявляются свободные экситоны, соответствующие данной модификации. Показано, что наличие таких областей ($\gamma$-политипа) создает дефекты упаковки, на которых происходит локализация возбужденных экситонных состояний (${n>1}$).