Исследование неидеальных гетеропереходов кремний–арсенид галлия методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней

На основании анализа экспериментальных результатов, полученных при исследовании гетеропереходов Si$-$GaAs методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней, а также вольтфарадных и вольтамперных характеристик, предложена модель зонной диаграммы гетероперехода. Модель характеризуется большим разрывом зоны проводимости на границе раздела полупроводников (0.7 эВ).