Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 9,страницы 1610–1613(Mi phts3034)
Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии
при низких температурах
В. М. Васецкий, В. Н. Порошин, О. Г. Сарбей, Э. С. Саркисян
Аннотация:
Исследовано поглощение излучения СO$_{2}$-лазера в $p$-Ge с концентрацией
примеси
${N_{\text{а}}-N_{\text{д}}=3\cdot10^{16}\div2\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$
в широком диапазоне изменения интенсивности излучения и температур.
При низких температурах (${T\lesssim25}$ K) обнаружено возрастание
коэффициента поглощения с ростом интенсивности света. Показано, что
нелинейность поглощения связана с разогревом дырочного газа в поле
световой волны и возрастанием за счет этого вклада в поглощение
света прямых фотопереходов носителей между зонами легких и тяжелых дырок.