Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 9,страницы 1617–1622(Mi phts3036)
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС
InGaAsP/InP
В. Д. Пищалко, В. И. Толстихин
Аннотация:
Теоретически исследовано влияние разогрева
носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP. Учтены механизмы
разогрева, обусловленные инжекцией с гетеробарьеров, оже-рекомбинацией
и выделением джоулева тепла. Показано, что разогрев носителей оказывает
существенное влияние на ваттамперные характеристики ДГС. Проведены численные
расчеты эффективной температуры, квантового выхода и коэффициента инжекции,
результаты которых сравниваются с известными экспериментальными данными.
Полный текст:
PDF файл (763 kB)