Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины

Исследован энергетический спектр дырок в полупроводниках с вырожденной валентной зоной для прямоугольных квантовых ям конечной глубины. Получены аналитические выражения для продольных эффективных масс в подзонах размерного квантования. Представлены результаты расчетов энергетических спектров для GaAs в широком диапазоне значений параметров ям. Исследовано влияние сложной структуры валентной зоны на энергетический спектр квазидвумерных экситонов. Показано, что для переходов между электронными и дырочными подзонами размерного квантования разной четности оптически активными являются состояния экситона с проекцией момента ${|m|=1}$.