RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 39–43 (Mi phts3181)

Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод

В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков


Аннотация: Представлены электрические и электролюминесцентные характеристики и параметры светодиодов фиолетового свечения, изготовленных на основе карбида кремния политипа $4H$.
$p{-}n$-Структура: подложка $n$-SiC-$4H$, содержащая азот (донор), и выращенный на ней бесконтейнерной жидкостной эпитаксией слой $p$-SiC-$4H$, легированный алюминием (акцептор).
$p{-}n$-Переход резкий, емкостное напряжение отсечки 2.9 В (293 K). Площадь $p{-}n$-перехода светодиодной меза-структуры порядка $10^{-3}\,\text{см}^{2}$. Свет выводился через $n$-подложку.
Максимум спектра электролюминесценции расположен в фиолетовой области [${h\nu_{m}=2.93}$ эВ (293 K)]. Зависимость интенсивности люминесценции от тока близка к линейной. Внешний квантовый выход около ${0.5\cdot10^{-4}}$ (293 K) и уменьшается с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной диаграммы направленности излучения $15^{\circ}$ равна 0.15 мкд при токе 20 мА и 293 K (напряжение около 3.5 В). Быстродействие светодиода порядка 100 нc.
Созданием фиолетового светодиода завершается светодиодное освоение видимого спектра.



© МИАН, 2025