Механизмы излучательной рекомбинации в ядерно легированном арсениде галлия

Исследовалась фотолюминесценция (ФЛ) монокристаллов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного методом ядерных реакций при облучении тепловыми нейтронами. Анализ спектров ФЛ в процессе отжига слабо легированных материалов (${n<1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$) показал, что рекомбинация обусловлена межзонными и межпримесными переходами с участием остаточных акцепторов углерода и образовавшихся при ядерных трансмутациях акцепторов германия. В сильно легированных материалах (${n>5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$) наблюдается сдвиг краевой полосы ФЛ в высокоэнергетическую сторону при отжиге, что связывается с переходами на перестраивающуюся полосу акцепторных состояний. Установлено, что часть атомов германия, образовавшихся при ядерных трансмутациях, замещает атомы мышьяка и проявляет свойства акцепторов. Остаточные технологические акцепторы углерода способны к взаимодействию с радиационными дефектами.