RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 192–195 (Mi phts3215)

Краткие сообщения

Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике

С. Д. Барановский, Б. И. Шкловский




© МИАН, 2025