RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 5,
страницы
919–921
(Mi phts3379)
Краткие сообщения
Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в
$n$
-Si
Р. Ф. Витман
, Н. Б. Гусева
,
А. А. Лебедев
, Э. С. Таптыгов
Полный текст:
PDF файл (469 kB)
©
МИАН
, 2025