RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 919–921 (Mi phts3379)

Краткие сообщения

Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si

Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов




© МИАН, 2025