RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1173–1176 (Mi phts3430)

О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$

А. В. Воеводова, Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, А. А. Стук


Аннотация: Исследована излучательная рекомбинация (ИР) на дефектах структуры в исходном и ядерно легированном (ЯЛ) Si$\langle\text{Ge}\rangle$, создаваемых электронным облучением и последующим отжигом.
Обнаружен ряд новых центров ИР, предположительно включающих в свой состав атомы Ge. Различия в спектрах ИР исходных и ЯЛ образцов интерпретируются как результат внутреннего геттерирования примесей в процессе ЯЛ.



© МИАН, 2024