Физика и техника полупроводников,
1989, том 23, выпуск 7,страницы 1173–1176(Mi phts3430)
О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование
в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$
А. В. Воеводова, Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, А. А. Стук
Аннотация:
Исследована излучательная рекомбинация (ИР) на
дефектах структуры в исходном и ядерно легированном (ЯЛ)
Si$\langle\text{Ge}\rangle$,
создаваемых электронным облучением и последующим отжигом. Обнаружен ряд новых центров ИР, предположительно включающих
в свой состав атомы Ge. Различия в спектрах ИР исходных и ЯЛ образцов
интерпретируются как результат внутреннего геттерирования
примесей в процессе ЯЛ.