RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1214–1219 (Mi phts3438)

Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния

Р. Балтрамеюнас, Д. Велецкас, Э. Скайстис


Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования влияния перезарядки мелких примесных центров в кристаллах кремния на светонаведенное изменение показателя преломления. Показано, что поляризуемость этих центров на частотах, близких к краю фундаментального поглощения, равна ${\alpha_{n}(E)\simeq 4\cdot10^{-22}\,\text{см}^{2}}$. Это необходимо учитывать при оценке светонаведенного изменения показателя преломления в кристаллах кремния.



© МИАН, 2024