RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8, страницы 1356–1361 (Mi phts3471)

Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge

Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина


Аннотация: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии ${\gamma=m^{*}_{\perp}/m^{*}_{\parallel} >1}$.



© МИАН, 2025