Физика и техника полупроводников,
1989, том 23, выпуск 8,страницы 1356–1361(Mi phts3471)
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно
деформированном Ge
Е. И. Воеводин, Е. М. Гершензон, Г. Н. Гольцман, Н. Г. Птицина
Аннотация:
Проведены исследования спектров фототермической
ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно
сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений
с учетом теории построен энергетический спектр примесей.
Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных
состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному
для примесей в анизотропном полупроводнике с
параметром анизотропии ${\gamma=m^{*}_{\perp}/m^{*}_{\parallel} >1}$.