RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 9, страницы 1689–1691 (Mi phts3542)

Краткие сообщения

Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии

П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова




© МИАН, 2025