RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 9,
страницы
1689–1691
(Mi phts3542)
Краткие сообщения
Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
П. Н. Брунков
,
С. Г. Конников
, М. И. Папенцев
, М. М. Соболев
,
М. Н. Степанова
Полный текст:
PDF файл (428 kB)
©
МИАН
, 2025