RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12, страницы 2227–2229 (Mi phts3660)

Краткие сообщения

Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si

А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, X. С. Далиев, Ш. Б. Утамурадова




© МИАН, 2025