RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 3, страницы 549–552 (Mi phts3773)

Новый способ обработки спектров DLTS

Е. В. Астрова, А. А. Лебедев


Аннотация: Предлагается новый способ обработки спектров DLTS, записанных с разными окнами скростей эмиссии. Для нахождения температурной зависимости постоянной времени термо-эмиссии $\theta$ от температуры в отличие от обычно используемых значений этой величины в максимуме пиков применяют точки пересечения кривых друг с другом. Для экспоненциальных сигналов релаксации, характерных для дискретного глубокого уровня, рассчитаны значения $\theta$ в точках пересечения пиков DLTS, записанных с разными $t_{1}$ при фиксированном отношении $t_{2}/t_{1}$. Помимо увеличения числа используемых точек способ позволяет корректно определить параметры глубокого уровня из спектров DLTS с высотой пика, зависящей от температуры. Применение способа иллюстрируется на примере глубокого уровня термодефекта в кремнии.



© МИАН, 2025