RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2145–2150 (Mi phts4112)

Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла

В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, Э. Н. Гусинский, Л. Б. Литвак-Горская


Аннотация: На примере $p\text{-Si}\langle\text{B,\,Ga}\rangle$ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок $p(T)$ в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров $D\,(N_{\text{к}}$, $N_{2}$) ($N_{\text{к}}$, $N_{1}$ и $N_{2}$ — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, $N_{2}\gg N_{1}$) в предположении, что $N_{2}$, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей $D\,(N_{\text{к}}$, $N_{1}$) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между $N_{\text{к}}$ и $N_{1}$ разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений $p(T)$ существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.



© МИАН, 2025