RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2186–2190 (Mi phts4120)

О природе $K$-центра в кремнии

Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко


Аннотация: Методами емкостной спектроскопии исследована зависимость скорости введения $A$- и $K$-центров в $p$-базе кремниевых диодов, облученных электронами с энергией 900 кэВ, от электрическогоe поля в области объемного заряда. Показано, что электрическое поле увеличивает скорость введения $A$- и $K$-центров. Исследована зависимость скорости введения $K$-центров от энергии электронов в интервале 300$-$900 кэВ. Эта зависимость совпадает с измеренными ранее энергетическими зависимостями скоростей введения $A$-центров и комплексов межузельный-узельный углерод. На основании анализа экспериментальных данных показано, что $K$-центр содержит помимо кислорода и углерода одну вакансию.



© МИАН, 2024