RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8, страницы 1437–1447 (Mi phts4411)

Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$

Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков


Аннотация: Проведены оценки современного состояния разработок и обобщений полученных авторами данной работы результатов по монокристаллическим твердым растворам (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$.
Рассмотрены критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния. Анализируются различные подходы к технологии приготовления образцов. Определена область стабильного формирования политипной структуры $2H$. Приводятся результаты по оптическому поглощению и люминесценции твердых растворов (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$ и структур на их основе. Определены условия формирования и впервые получены прямозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$. Показана возможность создания на основе варизонных гетероструктур (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$/SiC ультрафиолетовых источников излучения.



© МИАН, 2025